В России запустят экспериментальную линию по выпуску кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия
«Зеленоградский нанотехнологический центр» (АО «ЗНТЦ»), резидент ОЭЗ «Технополис «Москва», завершил очередной этап подготовки инфраструктуры для выпуска кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия – строительство и ввод в эксплуатацию участка для экспериментального производства.
Инвестиции в проект составили около 1 млрд рублей. Это первое подобное производство в России.
Нитрид галлия является одним из самых востребованных и перспективных материалов современной электроники. Устройства на основе GaN-Si, их перспективы и преимущества регулярно обсуждаются на отраслевых конференциях по всему миру. Среднегодовой темп роста мирового рынка силовой электроники на GaN-Si, по прогнозам экспертов, в ближайшие два года составит 85%.