Samsung запустил массовое производство DRAM LPDDR5
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5 объемом 16 Гбит с использованием технологии ультрафиолетовой литографии (EUV).
Новый чип создан на основе процесса третьего поколения 10-нм класса (1z), отличается высокой производительностью и самой большой емкостью среди мобильной памяти.
При скорости работы 6400 Мбит/с LPDDR5 примерно на 16% быстрее, чем 12-гбитные микросхемы LPDDR5 (работающие на скорости 5500 Мбит/с), которые используются сегодня в большинстве флагманских моделей мобильных устройств. В модуле на 16 Гб память LPDDR5 способна передавать около 10 фильмов в формате Full-HD размером 5 Гб каждый или 51,2 Гб данных за одну секунду.
Корпус новой LPDDR5 памяти примерно на 30% тоньше, чем у ее предшественницы, что позволяет реализовать еще больше функциональных возможностей в новых тонких смартфонах с поддержкой 5G и несколькими камерами, а также в тонких устройствах со складывающимся экраном. LPDDR5 позволяет получать модули емкостью 16 Гб из восьми чипов, тогда как в предшествующей технологии 1y для получения модулей аналогичной емкости требовалось двенадцать чипов (восемь 12-гигабитных чипов и четыре 8-гигабитных чипа).
Производственная линия Samsung Pyeongtaek Line 2 расположена в южнокорейском городе Пхёнтхэк, занимает площадь более 128 900 кв. м. На сегодняшний день это самое большое в мире полупроводниковое производство.
