Терагерцевый лазер высокой мощности
Над созданием полупроводникового квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона работают лаборатории многих стран мира. Ведь и в телекоммуникациях, и в сфере безопасности, и в медицине (в том числе фармацевтике) он позволит заглянуть туда, куда не проникают другие виды излучения. Например, обнаружит раковые клетки или следы взрывчатых веществ.
Такие устройства по площади не превышают нескольких квадратных миллиметров, а изготавливаются методом послойной укладки полупроводников (в данном случае арсенида галлия) с толщиной слоя в один атом. Количество слоев измеряется тысячами, и каждый наносится одним проходом, что делает процесс изготовления годного кристалла невероятно трудоемким.
Серьезный результат – терагерцевый излучатель мощностью 0,47 Вт –продемонстрировали в сентябре 2013 года сотрудники Венского технического университета. А их коллеги из британского Лидса продвинулись еще дальше: на днях они объявили, что добились мощности в 1 Вт! Для этого пришлось уложить от 1000 до 2000 слоев полупроводника, тщательно регулируя толщину и химический состав каждого, а уже затем превратить этот многослойный пирог в лазерный излучатель. «Построить приборы, испускающие мощные лучи в терагерцевом диапазоне, не проблема. Но практические задачи требуют компактных и недорогих решений в этой области», – утверждает профессор Университета Лидса Эдмунд Линфилд (Edmund Linfield).
