Малосигнальные полевые МОП-транзисторы NXP
Компания NXP Semiconductors N.V. представила новое семейство малосигнальных полевых МОП-транзисторов (MOSFET), отличающихся уникально низким сопротивлением открытого канала – RDS(on). <br />
<br />
Низкое сопротивление открытого канала полевых p-канальных и n-канальных МОП-транзисторов обеспечит экономию энергии в таких устройствах потребительской электроники, как ноутбуки, планшетные ПК, мобильные телефоны, электронные книги, телевизионные абонентские приставки и ЖК-телевизоры. Эти высокоэффективные полевые МОП-транзисторы поставляются массовыми партиями в небольших (3 х 3 мм) корпусах SOT23 и SOT457, таким образом, инженеры-разработчики смогут заменить компоненты большего типоразмера значительно более компактными – с тем же или меньшим сопротивлением открытого канала. <br />
<br />
Факты/основные особенности:<br />
• PMV16UN, один из новых n-канальных полевых МОП-транзисторов NXP в корпусе SOT23, имеет ультранизкое сопротивление RDS(on), 18 мОм максимально при VGS = 4,5 В.<br />
• МОП-транзисторы NXP обеспечивают 20%-ное повышение энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением полевых МОП-транзисторов на базе Trench-технологии. <br />
• Компоненты доступны уже сегодня, цена при заказе партиями от 1000 штук составляет 1,20 доллара США за штуку. <br />
• В 2011 году будет выпущено около 70 типов малосигнальных полевых МОП-транзисторов.